FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FQP50N06 بواسطة onsemi و IRFZ44NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | FQP50N06 | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) | — |
| Part Number | FQP50N06 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Planar Stripe DMOS | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | 120 W | — |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] | — |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | 0.022 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 42 nC |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| العلبة | TO-220-3 (through-hole) | D2PAK (TO-263) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |