FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של FQP50N06 מאת onsemi ו IRFZ44NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | FQP50N06 | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | onsemi | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) | — |
| Part Number | FQP50N06 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Planar Stripe DMOS | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | 120 W | — |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] | — |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | 0.022 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 42 nC |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| מארז | TO-220-3 (through-hole) | D2PAK (TO-263) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |