FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FQP50N06 द्वारा onsemi और IRFZ44NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FQP50N06 | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) | — |
| Part Number | FQP50N06 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Planar Stripe DMOS | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | 120 W | — |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] | — |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | 0.022 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | 42 nC |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| पैकेज | TO-220-3 (through-hole) | D2PAK (TO-263) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |