H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHCR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHCR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate IV) | DDR4 SSTL12 |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V (VDD) |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Speed Grade | — | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |