H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (PC2400) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| جهد التغذية | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| العلبة | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | SK hynix |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto-refresh and self-refresh |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |