H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps (PC2400) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| رابط | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| بستهبندی | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | SK hynix |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto-refresh and self-refresh |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |