H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| نوع الواجهة | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |