H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-PBC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-PBC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Trạng thái vòng đời Active —
Memory Density — 4 Gbit
Tổ chức — 512M x 8
Loại giao diện — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá