H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| العلبة | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | PBC |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| نوع الواجهة | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |