H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKI tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-PBC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-PBC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Veri Hızı 2666 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Paket FBGA-78 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) PBC
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Density — 4 Gbit
Arayüz Türü — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin