H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-PBC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-PBC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb (1 GB) | — |
| التنظيم | 1G x 8 (x8) | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | up to 2666 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| الميزات | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| الواجهة | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |