H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-PBC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb (1 GB) | — |
| ארגון | 1G x 8 (x8) | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | up to 2666 Mbps |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| תכונות | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| סטטוס RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | Compliant |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (VDD) |
| ממשק | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |