H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| التنظيم | x8 | 1G x 8 (x8) |
| معدل البيانات | up to 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD) | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb (1 GB) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| الميزات | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |