H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-PBC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NCJR-RDC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G8NCJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-PBC
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
تنظیم x8 1G x 8 (x8)
ڈیٹا ریٹ up to 2666 Mbps [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)]
سپلائی وولٹیج 1.2 V (VDD) —
انٹرفیس DDR4 (JEDEC standard) —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 BL8
پیکیج 78-ball FBGA 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Lead-Free & Halogen-Free
میموری سائز — 8 Gb (1 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V (SSTL12)
Architecture — CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked
Bank Structure — 8 internal banks, bank-group architecture
خصوصیات — ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh
Die Revision Family — CJR (H5AN8G8NCJR-xxC)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Typical Applications — PC/server main memory, embedded solder-down memory

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں