H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin | up to 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| العلبة | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC standard) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| التنظيم | — | x8 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |