H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G8NCJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN8G8NCJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Aktif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Memory Organization 1G x 8 —
Veri Hızı 2666 Mbps/pin up to 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) —
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Paket FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz Parallel (DDR4) DDR4 (JEDEC standard)
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
Density — 8 Gb (1 GB)
Organizasyon — x8
Besleme Gerilimi — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin