H5AN8G8NCJR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-VKC بواسطة SK hynix و K4A8G085WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $7.38 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +85C |
| العلبة | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |