H5AN8G8NCJR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NCJR-VKC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G8NCJR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $7.38 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +85C |
| پیکیج | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |