H5AN8G8NCJR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G8NCJR-VKC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G8NCJR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $7.38 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +85C |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | Parallel (DDR4) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 1G x 8 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |