H5AN8G8NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NDJR-XNC بواسطة SK hynix و K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| معدل البيانات | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |