H5TC4G63AFR-PBI vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و IS43TR16256AL-125KBLI-TR بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63AFR-PBI IS43TR16256AL-125KBLI-TR
العلامة التجارية SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
سعر الوحدة (USD) — $8.25
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
التنظيم 256M x 16 —
Total Memory Size 4 Gb —
معدل البيانات DDR3-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps
جهد التغذية 1.35 V —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) 8
زمن الوصول CAS Programmable 11
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40°C to +95°C -40°C to +95°C (TC)
العلبة 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-TWBGA (9x13 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
حالة RoHS Compliant Compliant
حجم الذاكرة — 4Gbit (256M x 16)
عرض ناقل البيانات — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر