H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix و NT5CC256M16ER-EKI بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63AFR-PBI | NT5CC256M16ER-EKI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $16.70 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball TFBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |