H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63AFR-PBI توسط SK hynix و NT5CC256M16ER-EKI توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63AFR-PBI | NT5CC256M16ER-EKI |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $16.70 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| نرخ داده | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| تأخیر CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball TFBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |