H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix và NT5CC256M16ER-EKI bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-PBI NT5CC256M16ER-EKI
Thương hiệu SK hynix Nanya Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Obsolete Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $16,70
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Tốc độ dữ liệu DDR3-1600 (PC3L-12800) 933 MHz (DDR3L-1866)
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V (1.5 V compatible)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) —
Latency CAS Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Hộp 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) 96-ball TFBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Trạng thái RoHS Compliant —
Density — 4 Gbit
Nhiệt độ hoạt động — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá