H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix at NT5CC256M16ER-EKI sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63AFR-PBI | NT5CC256M16ER-EKI |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Obsolete | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $16.70 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Rate ng Data | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latensya ng CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball TFBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |