H5TC4G63AFR-PBI vs NT5CC256M16ER-EKI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix ו NT5CC256M16ER-EKI מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-PBI | NT5CC256M16ER-EKI |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $16.70 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| קצב נתונים | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | 96-ball TFBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |