IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IRLR3410TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N10S5N040ATMA1 بواسطة Infineon و IRLR3410TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N10S5N040ATMA1 IRLR3410TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-5 HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A 60 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 22.7 nC
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
مستوى MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
حالة RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر