IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IRLR3410TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5N040ATMA1 tarafından Infineon ve IRLR3410TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N10S5N040ATMA1 IRLR3410TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-5 HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A 60 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 22.7 nC
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin