IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N06S5L011ATMA1 بواسطة Infineon و IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N06S5L011ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS 5 Linear FET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Technology — N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Marking Code — 020N10LF

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر