IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N06S5L011ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC120N06S5L011ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS 5 Linear FET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Technology — N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Marking Code — 020N10LF

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں