IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından Infineon ve IPB020N10N5LFATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5L011ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) OptiMOS 5 Linear FET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Technology — N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Marking Code — 020N10LF

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin