IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L006ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6L020ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7L006ATMA1 | IAUC100N04S6L020ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| العلبة | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-7 trench | OptiMOS 6 |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Packaging | Tape and Reel (ATMA1) | Tape & Reel (TMA1) |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 75 W |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | — | 2.04 mΩ |
| RDS(on) Typical | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | — | 2.0 V |
| Qualification | — | Automotive grade |