IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN04S7L006ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L020ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Hộp PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 6
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Số chân 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) Tape & Reel (TMA1)
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá