IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Paket PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 6
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Pin Sayısı 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) Tape & Reel (TMA1)
Polarity Single N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin