IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N027GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L005ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7L005ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| العلبة / الحالة | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55°C to +175°C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Technology | — | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 430 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] |
| On-Resistance R_DS(on) max | — | 0.52 mΩ |
| Power Dissipation (P_D) | — | 179 W (T_C) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |