IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N027GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L005ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7L005ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| پیکیج / کیس | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55°C to +175°C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Technology | — | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 430 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] |
| On-Resistance R_DS(on) max | — | 0.52 mΩ |
| Power Dissipation (P_D) | — | 179 W (T_C) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |