IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7L018ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5L015ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (Tj) |
| العلبة | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |