IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7L018ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L015ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN08S7L018ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
پیکیج PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں