IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (Tj) |
| Paket | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |