IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUTN04S7N004ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N037GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | 91 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| العلبة | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |