IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUTN04S7N004ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N037GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUTN04S7N004ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 350 A | 91 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.38 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| पैकेज | PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |