IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUTN04S7N004ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A 91 A
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Paket PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Series — OptiMOS 7
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin