IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUTN04S7N004ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N037GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A 91 A
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
بسته‌بندی PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Qualification AEC-Q101 Automotive —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Series — OptiMOS 7
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت