IDD04SG60CXTMA2 vs IDD06SG60CXTMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IDD04SG60CXTMA2 بواسطة Infineon و IDD06SG60CXTMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IDD04SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode CoolSiC™ Schottky Diode G3 (thinQ™)
Device Type Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 600 V —
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C 4 A —
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms [DATA_NEEDED: IFSM surge rating] —
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C 1.5 V —
Total Capacitive Charge (Qc) 4.5 nC [DATA_NEEDED: Qc value]
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V] —
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C [DATA_NEEDED: IR max at 600 V] —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab —
نوع التركيب Surface Mount —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Sn plating) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Diode Configuration — Single
Technology — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Reverse Voltage (VRRM) — 600 V
Continuous Forward Current (IF) — 6 A
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) — [DATA_NEEDED: IFRM]
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 32 A
Forward Voltage (VF) at IF=6A — 2.1 V (typical)
Reverse Current (IR) Max — 500 nA
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
العلبة / الحالة — PG-TO252-3 (DPAK)
نمط التركيب — Surface Mount (SMD/SMT)
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel per factory standard)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر