IDD04SG60CXTMA2 vs IDD06SG60CXTMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IDD04SG60CXTMA2 tarafından Infineon ve IDD06SG60CXTMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IDD04SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori Diodes Diodes
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode CoolSiC™ Schottky Diode G3 (thinQ™)
Device Type Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 600 V —
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C 4 A —
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms [DATA_NEEDED: IFSM surge rating] —
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C 1.5 V —
Total Capacitive Charge (Qc) 4.5 nC [DATA_NEEDED: Qc value]
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V] —
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C [DATA_NEEDED: IR max at 600 V] —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab —
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Sn plating) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Klorürsüz Yes —
Diode Configuration — Single
Technology — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Reverse Voltage (VRRM) — 600 V
Continuous Forward Current (IF) — 6 A
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) — [DATA_NEEDED: IFRM]
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 32 A
Forward Voltage (VF) at IF=6A — 2.1 V (typical)
Reverse Current (IR) Max — 500 nA
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Stili — Surface Mount (SMD/SMT)
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel per factory standard)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin