IDD06SG60CXTMA2 vs IDD04SG60CXTMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IDD06SG60CXTMA2 بواسطة Infineon و IDD04SG60CXTMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IDD06SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ Schottky Diode G3 (thinQ™) CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode
Diode Configuration Single —
Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky —
Reverse Voltage (VRRM) 600 V —
Continuous Forward Current (IF) 6 A —
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) [DATA_NEEDED: IFRM] —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 32 A —
Forward Voltage (VF) at IF=6A 2.1 V (typical) —
Reverse Current (IR) Max 500 nA —
Total Capacitive Charge (Qc) [DATA_NEEDED: Qc value] 4.5 nC
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK) —
نمط التركيب Surface Mount (SMD/SMT) —
Packaging Cut Tape (Tape & Reel per factory standard) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Device Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 600 V
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C — 4 A
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms — [DATA_NEEDED: IFSM surge rating]
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C — 1.5 V
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V — [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V]
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C — [DATA_NEEDED: IR max at 600 V]
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
العلبة — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab
نوع التركيب — Surface Mount
Lead-Free Finish — Yes (Sn plating)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر