IDD06SG60CXTMA2 vs IDD04SG60CXTMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IDD06SG60CXTMA2 tarafından Infineon ve IDD04SG60CXTMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IDD06SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori Diodes Diodes
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ Schottky Diode G3 (thinQ™) CoolSiC G3 thinQ Schottky Diode
Diode Configuration Single —
Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky —
Reverse Voltage (VRRM) 600 V —
Continuous Forward Current (IF) 6 A —
Repetitive Peak Forward Current (IFRM) [DATA_NEEDED: IFRM] —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 32 A —
Forward Voltage (VF) at IF=6A 2.1 V (typical) —
Reverse Current (IR) Max 500 nA —
Total Capacitive Charge (Qc) [DATA_NEEDED: Qc value] 4.5 nC
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Stili Surface Mount (SMD/SMT) —
Packaging Cut Tape (Tape & Reel per factory standard) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Device Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Single
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 600 V
Continuous Forward Current (IF), TC=135 C — 4 A
Non-Repetitive Forward Surge Current (IFSM), tp=10ms — [DATA_NEEDED: IFSM surge rating]
Forward Voltage (VF) typ. at IF=4A, Tj=25 C — 1.5 V
Total Capacitance (Ctot) at VR=400V — [DATA_NEEDED: Ctot at 400 V]
Reverse Current (IR) at VR=600V, Tj=25 C — [DATA_NEEDED: IR max at 600 V]
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
Paket — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin surface mount with tab
Montaj Türü — Surface Mount
Lead-Free Finish — Yes (Sn plating)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin