IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGI65D1414A3MSXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLR70R270D2SXUMA1 بواسطة Infineon و IGI65D1414A3MSXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IGLR70R270D2SXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 CoolGaN™ HEMT
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Enhancement-mode GaN HEMT (eMode)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
العلبة PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TIQFN-32-1 (QFN-32, 6x8 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
حالة RoHS Compliant —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
Configuration — Half-Bridge (2 FETs in QFN-32, high-side + low-side)
Drain-Source Voltage (V_DS, max) — 650 V
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 140 mΩ per FET
Continuous Drain Current — 13.7 A (per Newark listing)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G, typ) — [DATA_NEEDED: Q_G total]
Output Charge (Q_OSS) — [DATA_NEEDED: Q_OSS value]
Reverse Recovery Charge (Q_RR) — 0 nC (intrinsic to GaN HEMT, no body diode recovery)
Thermal Resistance (R_thJA) — [DATA_NEEDED: R_thJA value]
Typical Applications — AC-DC chargers/adapters, totem-pole PFC, BLDC motor drives, Class-D audio, LED lighting
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Compliance — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر