IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGI65D1414A3MSXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IGLR70R270D2SXUMA1 מאת Infineon ו IGI65D1414A3MSXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IGLR70R270D2SXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 CoolGaN™ HEMT
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Enhancement-mode GaN HEMT (eMode)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
מארז PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TIQFN-32-1 (QFN-32, 6x8 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
סטטוס RoHS Compliant —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
Configuration — Half-Bridge (2 FETs in QFN-32, high-side + low-side)
Drain-Source Voltage (V_DS, max) — 650 V
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 140 mΩ per FET
Continuous Drain Current — 13.7 A (per Newark listing)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G, typ) — [DATA_NEEDED: Q_G total]
Output Charge (Q_OSS) — [DATA_NEEDED: Q_OSS value]
Reverse Recovery Charge (Q_RR) — 0 nC (intrinsic to GaN HEMT, no body diode recovery)
Thermal Resistance (R_thJA) — [DATA_NEEDED: R_thJA value]
Typical Applications — AC-DC chargers/adapters, totem-pole PFC, BLDC motor drives, Class-D audio, LED lighting
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר