IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGI65D1414A3MSXUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R270D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGI65D1414A3MSXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ فعالInfineon
IGI65D1414A3MSXUMA1 - 650V CoolGaN Half-Bridge, 140mΩ QFN-32 | Infineon
IGI65D1414A3MSXUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGI65D1414A3MSXUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN™ HEMT |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Enhancement-mode GaN HEMT (eMode) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TIQFN-32-1 (QFN-32, 6x8 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 FETs in QFN-32, high-side + low-side) |
| Drain-Source Voltage (V_DS, max) | — | 650 V |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | — | 140 mΩ per FET |
| Continuous Drain Current | — | 13.7 A (per Newark listing) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] |
| Total Gate Charge (Q_G, typ) | — | [DATA_NEEDED: Q_G total] |
| Output Charge (Q_OSS) | — | [DATA_NEEDED: Q_OSS value] |
| Reverse Recovery Charge (Q_RR) | — | 0 nC (intrinsic to GaN HEMT, no body diode recovery) |
| Thermal Resistance (R_thJA) | — | [DATA_NEEDED: R_thJA value] |
| Typical Applications | — | AC-DC chargers/adapters, totem-pole PFC, BLDC motor drives, Class-D audio, LED lighting |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Compliance | — | Compliant |